具有场板的半导体器件专利登记公告

专利名称：具有场板的半导体器件

摘要：描述了一种III-N器件，其具有III-N材料层，位于III-N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III-N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III-N材料层之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048522.9

专利申请（专利权）人：特兰斯夫公司

专利发明（设计）人：储荣明;罗伯特·科菲

主权项：一种III?N器件，包括：III?N材料层；绝缘体层，所述绝缘体层在所述III?N材料层的表面上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述绝缘体层的相对于所述III?N材料层的相反侧上；电极限定层，所述电极限定层在所述蚀刻停止层的相对于所述绝缘体层的相反侧上；以及电极，其中凹陷形成在所述电极限定层中并且所述电极形成在所述凹陷中。

专利地区：美国