形成半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：形成半导体器件的方法

摘要：用于衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。按照第一方法实施例，获取第一导电类型的硅晶圆。在该硅晶圆的正面上生长第一导电类型的外延层。对该外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域。重复上述生长和注入，以形成一个该相反的导电类型的垂直的柱。上述硅晶圆同样可以被注入，以形成一个相反的导电类型的区域，该区域与上述垂直的柱垂直对齐。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049358.3

专利申请（专利权）人：威世硅尼克斯

专利发明（设计）人：汉密尔顿·吕;T·周;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕坦纳亚克;莎伦·石;K·陈;罗伯特·许

主权项：一种制作半导体的方法，该方法包括：获取第一导电类型的硅晶圆；在所述硅晶圆的正面上生长所述第一导电类型的外延层；对所述外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域；以及重复所述生长和注入，以形成一个所述的相反的导电类型的垂直的柱。

专利地区：美国