半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162433.4

专利申请（专利权）人：富士通株式会社

专利发明（设计）人：近藤大雄;佐藤信太郎

主权项：一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘体上形成催化膜的工序；使石墨烯层以所述催化膜为起点生长的工序；在所述绝缘体上形成与所述石墨烯层接触的导电膜的工序。

专利地区：日本