半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045729.0

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治;中村康男;菅尾惇平;鱼地秀贵

主权项：一种半导体器件，包括：包含氮化硅的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一导电层；所述第一导电层上的第二导电层；所述第一导电层及所述第二导电层上的包含氮化硅的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的包含氧化硅的第三绝缘层；所述第三绝缘层上的氧化物半导体层；源极电极及漏极电极，设置于所述氧化物半导体层上；所述源极电极、所述漏极电极及所述氧化物半导体层上的包含氧化硅的第四绝缘层；所述第四绝缘层上的包含氮化硅的第五绝缘层；所述第五绝缘层上的并且电连接至所述源极电极及所述漏极电极的一个的第三导电层；所述第三导电层上的包含氮化硅的

专利地区：日本