半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明涉及半导体装置。目的之一在于，在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管中，降低氧化物半导体层和电连接到氧化物半导体层的源极电极层和漏极电极层之间的接触电阻。源极电极层和漏极电极层具有两个或跟多个层的叠层结构，其中使用功函数低于氧化物半导体层的功函数的金属的氧化物或者含有该金属的合金的氧化物形成与氧化物半导体层接触的层。使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo或W的元素、含有这些元素中的任何元素作为组分的合金、或含有这些元素中的任何元素的组合的合金等，来形成源极电极层和漏极电极层中的与氧化物半导体层接触的层

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048129.X

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;平石铃之介;秋元健吾;坂田淳一郎

主权项：一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；源极电极层，包括与所述氧化物半导体层接触的第一层；以及漏极电极层，包括与所述氧化物半导体层接触的第二层，其中所述第一层和所述第二层中的每一个包括功函数比所述氧化物半导体层的功函数低的金属的氧化物，或者包括该金属的合金的氧化物。

专利地区：日本