等离子体CVD装置专利登记公告

专利名称：等离子体CVD装置

摘要：本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045649.5

专利申请（专利权）人：株式会社神户制钢所

专利发明（设计）人：玉垣浩;冲本忠雄;濑川利规

主权项：一种等离子体CVD装置，在片状的连续基材的表面形成被膜，其中包括：真空室；一对成膜辊，配置在所述真空室内，并与交流电源的两极连接，同时所述基材缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置，向较连结所述一对成膜辊的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置，通过所述交流电源向各成膜辊分别施加交流电压，形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，所述磁场发生装置将与所述一对成膜辊中的位于所述成膜区域内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域，所述基材以通过所

专利地区：日本