薄膜沉积装置和用于其的方法专利登记公告

专利名称：薄膜沉积装置和用于其的方法

摘要：用于沉积薄膜的方法，包括：-提供膨胀热等离子体羽(116)，其包括至少一种待沉积的化学成分；-在等离子体羽内指定第一(130a)和第二(130c)沉积区，使得第一和第二沉积区具有彼此不同的化学成分的相对含量；-提供基片(120)，并沿基片传输路径(126)传输所述基片通过等离子体羽，基片传输路径(126)具有基片传输路径方向(T)；以及-提供掩膜(128)，其至少部分布置在等离子体羽中并掩蔽基片传输路径的一部分以避免其上被沉积，其中，所述基片传输路径的掩蔽部分以基片传输路径的方向延伸并桥接至少第一沉积区，

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041683.5

专利申请（专利权）人：OTB太阳能有限公司

专利发明（设计）人：比约恩·范赫尔文;罗兰·科内利斯·玛丽亚·博希;弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯

主权项：一种薄膜沉积组件(100)，包括：?沉积室(102)，包括至少一个膨胀热等离子体(ETP)源(104)，所述ETP源被设置为产生等离子体羽(116)，所述等离子体羽包括多个沉积区(130a、130b、130c)，每个沉积区具有与相邻沉积区不同的化学成分的相对组成；?基片传输系统(122)，被设置为沿基片传输路径(126)传输至少一个基片(120)通过所述等离子体羽(116)，所述基片传输路径(126)具有基片传输路径方向(T)；以及?掩膜(128)，在操作过程中至少部分地布置于所述等离子体羽(116)中，

专利地区：荷兰