涉及光子晶体光纤的熔接与连接的改进专利登记公告
专利名称:涉及光子晶体光纤的熔接与连接的改进
摘要:本发明涉及一种光纤,至少包括具有第一端面的第一端,该光纤包括能够引导第一波长λ的光的纤芯区;和包围所述纤芯区的微结构包层区。包层区包括内包层区和外包层区。内包层区包括布置在折射率为n1的内包层背景材料中的内包层部件,所述内包层部件包括可热塌陷的孔或空隙。外包层区包括布置在外包层背景材料中的外包层部件,所述外包层部件包括折射率为n2的实心材料,其中n2低于n1。本发明进一步涉及将这种光纤熔接至光学器件的方法和使用这种光纤的方法。
专利类型:发明专利
专利号:CN201080045782.0
专利申请(专利权)人:NKT光子学有限公司
专利发明(设计)人:M·D·马克
主权项:一种光纤,至少包括具有第一端面的第一端,所述光纤包括:(a)纤芯区,其能够引导第一波长λ的光;及(b)微结构包层区,其包围所述纤芯区,所述包层区包括:(b1)内包层区,包括布置在折射率为n1的内包层背景材料中的内包层部件,所述内包层部件包括可热塌陷的孔或空隙;及(b2)外包层区,包括布置在外包层背景材料中的外包层部件,所述外包层部件包括折射率为n2的实心材料,其中n2低于n1。
专利地区:丹麦
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。