相位差薄膜、以及、使用其的有机EL显示装置及液晶显示装置专利登记公告

专利名称：相位差薄膜、以及、使用其的有机EL显示装置及液晶显示装置

摘要：本发明涉及一种相位差薄膜，该相位差薄膜是将由降冰片烯类开环共聚物构成的薄膜进行延伸而制成的；该降冰片烯类开环共聚物含有由下述通式（1）表示的结构单元（A）以及由下述通式（2）表示的结构单元（B），并且，所述结构单元（A）的含量相对于所述结构单元（A）以及（B）的总量为5摩尔％以上95摩尔％以下，[式（1）中，n表示0或1的整数，R1表示氢原子等，X1表示由式：-CH=CH-表示的基团等，且a和b分别独立地表示0～6的整数，Y分别独立地表示亚甲基等，Z分别独立地表示亚甲基等]；[式（2）中，m表示0或1的整

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059878.2

专利申请（专利权）人：吉坤日矿日石能源株式会社

专利发明（设计）人：小池刚;小松伸一;上坂哲也;曾祢央司;高桥裕司

主权项：一种相位差薄膜，其特征在于，所述相位差薄膜是将由降冰片烯类开环共聚物构成的薄膜进行延伸而制成的；所述降冰片烯类开环共聚物含有由下述通式（1）表示的结构单元（A）以及由下述通式（2）表示的结构单元（B），并且，所述结构单元（A）的含量相对于所述结构单元（A）以及（B）的总量为5摩尔％以上95摩尔％以下，式（1）中，n表示0或1的整数，R1表示选自氢原子，卤素原子，可具有选自氧原子、氮原子、硫原子及硅原子中的至少1种连接基团的取代或非取代的碳原子数为1～30的烃基，以及极性基中的原子或基团，X1表示选自由式：

专利地区：日本