用于装置的含镓和氮的超薄外延结构的快速生长方法及结构专利登记公告

专利名称：用于装置的含镓和氮的超薄外延结构的快速生长方法及结构

摘要：描述了一种含镓和氮材料的快速生长的方法。该方法包括提供块状含镓和氮的基底。在该基底上形成第一厚度的第一外延材料，优选用一种假晶工艺。该方法还在第一外延层上形成第二外延层，以形成叠层结构。该叠层结构的总厚度小于约2微米。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045881.9

专利申请（专利权）人：天空公司

专利发明（设计）人：詹姆斯·拉林;阿尔潘·查克拉博尔蒂;克里斯蒂安·波布伦斯

主权项：一种含镓和氮的材料的快速生长方法，包括：提供具有表面区域的块状含镓和氮的基底；形成叠加在所述块状含镓和氮的基底的所述表面区域的具有第一厚度的第一外延材料，所述第一外延材料假晶地形成叠加在所述块状含镓和氮的基底的所述表面区域；以及形成叠加在所述第一外延材料上的一个或多个第二外延材料，并构造成叠层结构；由此所述叠层结构的总厚度小于约2微米，并且以光学或电学装置的外延区域的至少主要部分为特征。

专利地区：美国