用于生产微颗粒的方法专利登记公告

专利名称：用于生产微颗粒的方法

摘要：本发明公开了适合用于荧光检验的硅微载体，以及生产此类微载体的方法。该方法包括以下步骤：提供包含单晶硅的底层、绝缘层和单晶硅的底层的SOI晶片，刻划微颗粒，刻蚀掉绝缘层，然后将氧化物层沉积于晶片上，晶片仍然支持微颗粒，最后提离微颗粒。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046130.9

专利申请（专利权）人：比奥卡尔齐什股份有限公司

专利发明（设计）人：N·德米埃尔;S·盖姆普

主权项：生产适合作为荧光检验的支持物的微颗粒的方法，包括以下步骤：(a)提供具有包含底层、绝缘层和顶层的夹心结构的晶片；(b)刻蚀顶层以刻划微颗粒；(c)刻蚀掉绝缘层；(d)将层沉积于晶片上，晶片仍然保持着微颗粒，避免任何能够使微颗粒分离的力；和(e)从晶片提离微颗粒；其中步骤(d)发生于步骤(c)之后和步骤(e)之前。

专利地区：瑞士