检验方法和设备专利登记公告

专利名称：检验方法和设备

摘要：检验方法和检验设备可用于例如通过光刻技术的器件制造中检测半导体晶片上的处理缺陷。用移动测量斑沿着扫描路径照射管芯的条带。检测散射辐射以获得角度分辨光谱，其被在条带上进行空间积分。将散射数据与通过测量或计算获得的参考光谱库比较。基于比较，确定在条带处管芯的缺陷的存在。测量斑被横跨晶片沿着扫描路径轨迹扫描，该轨迹包括大的(恒定的)速度部分，角度分辨光谱的获取被进行，以全扫描速度完成比较。如果沿着条带横跨管芯在Y方向上执行长的获取，那么由位置变化造成的获取的光谱的变化将主要依赖于斑的X位置。因为未沿着高速扫描路

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046242.4

专利申请（专利权）人：ASML荷兰有限公司

专利发明（设计）人：L·费斯塔彭;A·邓鲍夫

主权项：一种衬底检验方法，所述方法包括以下步骤：(a)用辐射束照射所述衬底的区域和检测散射的辐射以获得第一散射数据；(b)将所述第一散射数据与第二散射数据比较；和(c)基于所述比较，确定在所述区域处所述衬底的缺陷的存在，其中，所述照射和检测步骤(a)被横跨所述区域沿着扫描路径执行，由此获得在所述区域上进行空间积分的第一散射数据。

专利地区：荷兰