半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：一个目的是提供具有新生产性半导体材料和新结构的半导体器件。半导体器件包括：衬底之上的第一导电层；覆盖第一导电层的第一绝缘层；第一绝缘层之上与第一导电层的一部分重叠并且在表面部分具有结晶区的氧化物半导体层；形成为与氧化物半导体层相接触的第二和第三导电层；覆盖氧化物半导体层和第二、第三导电层的绝缘层；以及绝缘层之上与氧化物半导体层的一部分重叠的第四导电层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046496.6

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;高桥圭;伊藤良明

主权项：一种半导体器件，包括：衬底之上的第一导电层；所述第一导电层之上的第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的并且与所述第一导电层重叠的氧化物半导体层；形成为与所述氧化物半导体层相接触的第二导电层和第三导电层；所述氧化物半导体层、所述第二导电层和所述第三导电层之上的第二绝缘层；所述第二绝缘层之上的并且与所述氧化物半导体层的一部分重叠的第四导电层；以及其中所述氧化物半导体层的上表面具有结晶区。

专利地区：日本