图案化植入用的步进遮罩方法专利登记公告

专利名称：图案化植入用的步进遮罩方法

摘要：揭示一种移动遮罩以执行衬底的图案化植入的改良方法。所述遮罩具有多个孔隙，且置放于离子源与所述衬底之间。在将所述衬底暴露于离子束之后，将所述遮罩相对于所述衬底指引至新位置且执行后续植入步骤。可经由选择孔隙大小以及形状、指引距离以及植入步骤的数目来产生多种植入图案。在一些实施例中，所述植入图案包含重掺杂水平条带，其中较轻掺杂区域介于所述条带之间。在一些实施例中，所述植入图案包含重掺杂区域的栅格。在其他实施例中，所述植入图案适合于与汇流排结构一起使用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046602.0

专利申请（专利权）人：瓦里安半导体设备公司

专利发明（设计）人：班杰明·B·里欧登;尼可拉斯·P·T·贝特曼;查尔斯·T·卡尔森

主权项：一种将图案植入至衬底中的方法，包括：在所述衬底与离子源之间置放具有至少一个孔隙的遮罩；将所述衬底暴露于所述离子源，藉此将离子植入于与所述孔隙对准的所述衬底的第一区域中；在第一方向上相对于所述衬底移动所述遮罩，以使得所述孔隙与所述衬底的第二区域对准；以及将所述衬底暴露于所述离子源，藉此将离子植入于所述衬底的所述第二区域中，藉此所述第一区域的部分与所述第二区域的部分重叠，从而产生重植入区域。

专利地区：美国