通过使用氧等离子体的钝化维持高K栅极堆栈的完整性专利登记公告

专利名称：通过使用氧等离子体的钝化维持高K栅极堆栈的完整性

摘要：在半导体装置中，形成薄硅氮基材料之后通过暴露材料至氧等离子体（110）可以增加氮化钛材料（152）的完整性。该氧等离子体（110）可导致通过硅氮基材料未适当的覆盖的任何细微表面部份的额外的钝化。所以，额外的钝化之后，没有不必要的氮化钛材料（152）材料损失而可以进行高效清洁配方(例如在扫描式探针显微镜（SPM）的基础上的清洁工艺(111))进行。以此方式，高效清洁工艺的基础上，精密的高K金属栅堆叠栅极可形成有非常薄的保护衬垫材料，而不会在早期製造阶段过度导致显着的产量损失。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048061.5

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：S·拜尔;R·卡尔特;A·黑尔米希;B·雷梅尔

主权项：一种半导体装置的材料系统的处理方法，包括：于氮化钛材料（152）的暴露表面区域（152S）上沈积电介质材料（156），而该氮化钛材料（152）形成于半导体装置的基板（101）上方；暴露该基板（101）至氧等离子体（110）；暴露至该氧等离子体后，通过硫酸的基础上进行清洁工艺自该电介质材料（156）移除污染物；以及在存在该电介质材料（156）与该氮化钛材料（152），在半导体装置上进行一或多进一步的工艺（111）。

专利地区：开曼群岛