Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法专利登记公告

专利名称：Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法

摘要：本发明提供作为n型氮化物半导体的，例如AlxInyGazN（x、y、z为满足0＜x≦1.0、0≦y≦0.1、0≦z＜1.0的有理数，x＋y＋z＝1.0）的n型接触电极的形成方法。该方法具有下述工序，即在该n型半导体层上形成从Ti、V、Ta这一组中选出的至少1种金属构成的第一电极金属层后，在800℃以上1200℃以下温度进行热处理的工序、以及在上述第一电极金属层上，形成包含Al等功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10-6Ω·cm～4.0×10-6Ω·cm的金属构成的层的第二电极金属层后，在

专利类型：发明专利

专利号：CN201080059112.4

专利申请（专利权）人：株式会社德山

专利发明（设计）人：溜直树;木下亨

主权项：一种在Ⅲ族氮化物单晶构成的n型半导体层上形成n型接触电极的方法，其特征在于，包含下述工序，即在该n型半导体层上形成Ti、V、Ta这一组中选择出的至少1种构成的金属层形成的第一电极金属层后，在800℃以上1200℃以下温度进行热处理的工序、以及在所述第一电极金属层上形成包含功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10?6Ω·cm～4.0×10?6Ω·cm的金属构成的高导电性金属层的第二电极金属层后，在700℃以上1000℃以下温度进行热处理的工序。

专利地区：日本