半导体材料内不连续性的探测专利登记公告

专利名称：半导体材料内不连续性的探测

摘要：本发明所公开的方法和系统，其中，在半导体样品内部横向散射的光被成像，从而对一些如裂纹的不连续性进行探测。所述光可以通过采用外部光源被引入样品中，或者可以作为长波长的光致发光在原位产生。本发明所被描述的方法为关于晶片和光伏电池内部裂纹的探测，且所述方法原则上可被应用于任意的半导体晶片或薄膜材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046719.9

专利申请（专利权）人：BT成像股份有限公司

专利发明（设计）人：托斯顿·特鲁普克;约尔根·韦伯;伊恩·安德鲁·麦克斯威尔;罗伯特·安德鲁·巴多斯;格拉汉姆·罗伊·阿特金斯

主权项：一种探测半导体材料内不连续性的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：a.产生并引导光穿过所述材料；b.采集所述材料的图像，其中所述图像包括从所述材料散射或透射出的光；以及c.识别所述图像中的光强差从而探测所述不连续性。

专利地区：澳大利亚