用于制造半导体器件的方法和装置、以及半导体器件专利登记公告

专利名称：用于制造半导体器件的方法和装置、以及半导体器件

摘要：提供制造半导体器件的方法，半导体器件(50)包括衬底(30)、半导体层(36、38)和至少一个金属化层(52、70)，至少一个金属化层与从衬底和半导体层中选出的至少一项相邻，该方法包括如下步骤：形成至少一个金属化层(52；70)，至少一个金属化层(52；70)与从衬底和半导体层中选出的至少一项相邻、并且包括氧。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046876.X

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：伊夫林·希尔;法毕奥·皮拉里斯;马库斯·班德尔

主权项：一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括衬底(30)、半导体层(36、38)和至少一个金属化层(52；70)，所述至少一个金属化层与从所述衬底和所述半导体层中选出的至少一项相邻，所述方法包括如下步骤：形成所述至少一个金属化层(52；70)，所述至少一个金属化层(52；70)与从所述衬底和所述半导体层中选出的至少一项相邻、并且包括氧。

专利地区：美国