碳化硅上的石墨烯缓冲层的活化专利登记公告

专利名称：碳化硅上的石墨烯缓冲层的活化

摘要：一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化最底层的石墨烯层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080042505.4

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：F.R.麦克菲力;J.J.尤卡斯;种田智;J.B.汉农

主权项：一种将具有形成在碳化硅层上的一个或更多石墨烯层的结构电性活化的方法，所述方法包括：对所述结构执行氧化工艺，以形成在所述碳化硅层和所述一个或更多石墨烯层的最底层之间设置的氧化硅层，从而电性活化所述最底层的石墨烯层。

专利地区：美国