半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047439.X

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：工藤千秋;山下贤哉;庭山雅彦

主权项：一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有主表面以及背表面；第1碳化硅层，其配置于所述半导体基板的所述主表面上；第1导电型的第1杂质区域，其配置于所述第1碳化硅层；第2导电型的体区域，其被配置为在所述第1碳化硅层中与所述第1杂质区域相邻；第2导电型的接触区域，其在所述体区域内配置于比所述第1杂质区域更深的位置，并以比所述体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质；第1导电型的漂移区域，其配置于所述第1碳化硅层中的、除了所述体区域以及所述第1杂质区域以外的区域；和第1欧姆电极，其与所述第1杂质区域以及所述接触区域

专利地区：日本