针对图案化磁盘媒介应用的等离子体离子注入工艺期间的基板温度控制专利登记公告

专利名称：针对图案化磁盘媒介应用的等离子体离子注入工艺期间的基板温度控制

摘要：本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047182.8

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：马丁·A·希尔金;马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔;皮特·I·波尔什涅夫;罗曼·古科;史蒂文·维哈维伯克

主权项：一种于等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法，包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，所述基板上形成有磁性敏感层，其中所述基板的温度被维持在低于约摄氏150度；(b)在完成所述等离子体离子注入工艺的所述第一部份之后，冷却所述基板的温度；以及(c)在所述基板上进行所述等离子体离子注入工艺的第二部份，其中所述基板的温度被维持低于摄氏150度。

专利地区：美国