具厚度不同的栅极介电质的高K栅极堆栈中的功函数调整专利登记公告

专利名称：具厚度不同的栅极介电质的高K栅极堆栈中的功函数调整

摘要：在精密的制造技术中，通过在厚度不同的栅极介电材料中提供在高K介电材料(253)内具有实质上相同空间分布的功函数调整物质(254A)，可在早期制造阶段中调整晶体管组件的功函数以及阈值电压。在并入功函数调整物质(254A)后，可通过选择性地形成额外的介电层而调整栅极介电材料的最终厚度，使得栅极电极结构(250A，250B)的另外的图案化可以高度兼容于习知制造技术的方式来完成。因此，得以避免重新调整具有厚度不同的栅极介电材料的晶体管(260A，260B)的阈值电压所要用到的极复杂制程。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047199.3

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：T·斯彻普尔;A·魏;M·特伦茨施

主权项：一种形成半导体装置的方法，该方法包括：在第一装置区域(202A)及第二装置区域(202B)上方形成材料层堆栈，该材料层堆栈包括介电基底层(252)、形成在该介电基底层(252)上方的高K介电材料(253)以及形成在该高K介电材料(253)上方的含金属材料(207)；执行热处理(208)，用以从该含金属材料(207)扩散金属物质至该介电基底层(252)和该高K介电材料(253)所形成的接口；在执行该热处理(208)之后，在该第二装置区域(202B)上方选择性地形成介电层(251B)；以及在该第一装置区域(2

专利地区：开曼群岛