具有背侧体区连接的绝缘体上半导体专利登记公告

专利名称：具有背侧体区连接的绝缘体上半导体

摘要：本发明实施例实现了从绝缘体上半导体(SOI)结构去除过剩载流子。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在一个步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源器件。在另一个步骤中，从沉积在所述SOI晶圆的背侧上的基板层区域基板材料。在另一个步骤中，从所述绝缘体上半导体晶圆的背侧去除绝缘材料以形成挖掉的绝缘区域。导电层沉积在所述挖掉的绝缘区域上。沉积导电层使所述导电层与所述挖掉的绝缘区域的第一部分中的有源器件的体区物理接触。随后导电层将所述体区耦接至一个接触，所述接触处于所述挖掉的绝缘区域的第二隔开的部

专利类型：发明专利

专利号：CN201080031814.1

专利申请（专利权）人：IO半导体公司

专利发明（设计）人：M.A.斯图伯;S.B.莫林;P.A.尼加德

主权项：一种绝缘体上半导体结构，包括：导电层；绝缘层，其位于所述导电层上方，并且与挖掉的绝缘区域中的所述导电层部分地共同垂直延伸；有源层，其位于所述绝缘层上方，并且包括具有体区的有源器件；以及体区接触，其对所述导电层和所述体区进行物理连接，并且位于所述挖掉的绝缘区域的第一部分中；其中，所述导电层将所述体区接触耦接至所述有源层中的接触，所述接触位于所述挖掉的绝缘区域的第二部分中，所述第二部分与所述第一部分是隔开的。

专利地区：美国