薄膜晶体管及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及显示装置专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及显示装置

摘要：本发明的目的在于，提供简化了开设接触孔的工序的薄膜晶体管的制造方法。由于预先除去了没有被TFT(100)的沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的栅极绝缘膜(115)，所以形成在没有被沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的绝缘膜的膜厚，变得与形成在源极区域(120a)和漏极区域(120b)上的绝缘膜的膜厚相等。因此，能够同时开设到达栅极电极(110)的表面的接触孔(155)、到达源极区域(120a)的表面的接触孔(135a)、和到达漏极区域(120b)的表面的接触孔(135b)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047785.8

专利申请（专利权）人：夏普株式会社

专利发明（设计）人：富安一秀;北角英人;宫本忠芳

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管是形成在绝缘基板上的底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：形成在所述绝缘基板上的第一栅极电极；以覆盖所述第一栅极电极的一部分的方式形成的沟道层；形成在所述沟道层的下表面的栅极绝缘膜；形成在所述沟道层的源极区域和漏极区域；形成在所述源极区域和所述漏极区域的表面上的第一绝缘膜；形成在没有被所述沟道层覆盖的所述第一栅极电极的表面上的第二绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜、且到达所述源极区域和所述漏极区域的表面的第一接触孔；和形成在所述第二绝缘膜、且到达没有被所述沟道层覆盖的所

专利地区：日本