形成半导体膜以及包含该膜的光伏装置的方法专利登记公告

专利名称：形成半导体膜以及包含该膜的光伏装置的方法

摘要：本发明公开了一种沉积硫铜锡锌矿膜的方法，该膜包括下式的化合物：Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、-1≤q≤1。该方法包括：使联氨、Cu源、S与Se的至少一种的源接触以形成溶液A；使联氨、Sn源、S与Se的至少一种的源和Zn源接触以形成分散体B；在足以形成包括含Zn固体颗粒的分散体的条件下，使溶液A和溶液B混合；施加该分散体于基材上，以在该基材上形成该分散体的薄层；及在足以形成该硫铜锡锌矿膜的温度、压力、及时间长度下退火。还提供了退火组合物及包括以上述

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048458.4

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：T·K·托多罗夫;D·B·米茨

主权项：一种沉积包含下式化合物的硫铜锡锌矿膜的方法：Cu2?xZn1+ySn(S1?zSez)4+q，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、?1≤q≤1所述方法包含以下步骤：使联氨、Cu源、Sn源、S与Se的至少一种的源、及Zn源接触，以形成包括含Zn固体颗粒的分散体；将所述分散体施加于基材上，以形成薄层；及在足以形成所述硫铜锡锌矿膜的温度、压力、及时间长度下退火。

专利地区：美国