控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法及对应结构专利登记公告

专利名称：控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法及对应结构

摘要：本发明涉及一种用于在绝缘体上半导体型结构的制造过程中控制绝缘体上半导体型结构中的应力的分布的方法，该结构包括位于支撑基板(1)上的半导体材料的薄层(3)，绝缘层(2，4)存在于支撑基板(1)的前面和后面中的每一个上，前面上的所述绝缘层(2)形成厚的掩埋绝缘体(BOX)的至少一部分，根据所述方法的制造方法包括在所述支撑基板(1)上粘附接合所述薄层(3)，该方法的特征在于下述事实：在粘附接合之前，利用耐受去氧化的不同材料(5)覆盖位于所述支撑基板的后面上的所述绝缘层(4)，与所述支撑基板(1)的后面上的该绝缘

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048486.6

专利申请（专利权）人：索泰克公司

专利发明（设计）人：塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;帕特里克·雷诺

主权项：一种在绝缘体上半导体型结构的制造过程中控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法，所述绝缘体上半导体型结构包括位于支撑基板(1)上的半导体材料的薄层(3)，绝缘层(2，4)存在于所述支撑基板(1)的前面(10)和后面(11)中的每一个面上，所述前面上的所述绝缘层(2)形成厚的掩埋绝缘体(BOX)的至少一部分，根据所述方法的制造方法包括在所述支撑基板(1)上粘附接合所述薄层(3)，其特征在于：在粘附接合之前，利用耐受去氧化的不同材料(5)覆盖位于所述支撑基板的后面上的所述绝缘层(4)，与所述支撑基板的后面(1

专利地区：法国