具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片专利登记公告

专利名称：具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片

摘要：一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括块状衬底；在该块状衬底上形成的下绝缘层；在该下绝缘层上形成的导电背栅层；在该背栅层上形成的上绝缘层；以及在该上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，该混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048967.7

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：Q·C·欧阳;R·H·德纳德;J-B·瑶

主权项：一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：块状衬底；在所述块状衬底上形成的下绝缘层；在所述下绝缘层上形成的导电背栅层；在所述背栅层上形成的上绝缘层；以及在所述上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，所述混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分。

专利地区：美国