同轴硅通孔专利登记公告

专利名称：同轴硅通孔

摘要：一种硅通孔(TSV)结构，其在硅衬底(40)内形成独特的同轴互连或三轴互连。所述TSV结构提供有两个或更多独立电导体(50、60)，所述电导体彼此绝缘且与衬底绝缘。所述电导体可连接到不同的电压或接地，这使得能够将TSV结构作为同轴器件或三轴器件来操作。采用不同绝缘体材料的多个层可用来作为绝缘体，其中根据电介质特性、填充特性、界面粘合性和CTE匹配等来选择各层。所述TSV结构克服了外部绝缘层中可能导致漏电的缺陷。本申请还描述了这种TSV结构的制造方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049019.5

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：R.P.沃兰特;M.G.法鲁克;P.F.芬德伊斯;K.S.佩特拉卡

主权项：一种集成电路(IC)硅通孔(TSV)结构，包括：衬底(40)，提供有至少一个所述TSV，以及平行绝缘的导线(50)，跨越所述TSV的长度，并且从所述衬底的顶表面(70b)延伸到其底表面(200)，所述导线(50)彼此绝缘并且与所述衬底(40)绝缘，所述导线(50)分别与互连配线进行电接触。

专利地区：美国