半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：揭示了一种能够用作存储器件的半导体器件。存储器件包括多个存储单元，并且各个存储单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管设置在包含半导体材料的衬底上并具有在衬底中的沟道形成区。第二晶体管具有氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个彼此电连接。第二晶体管的极低的截止电流允许存储在存储单元中的数据即使在不供电的情况下也能保持相当长的时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049673.6

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：一种包括存储单元的半导体器件，所述存储单元包括：包括第一栅电极的第一晶体管，所述第一栅电极形成在衬底上；以及所述衬底上的第二晶体管，所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极，其中所述第二晶体管包括氧化物半导体层；以及其中，所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接。

专利地区：日本