半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049798.9

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;今井馨太郎;小山润

主权项：一种半导体器件，包括：包括氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路，其中所述晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述逻辑电路的至少一个输入，其中至少一个输入信号通过所述晶体管施加到所述逻辑电路，并且其中所述晶体管设置在所述逻辑电路上。

专利地区：日本