半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047028.0

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;今井馨太郎

主权项：一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入其间的杂质区、位于所述沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于所述第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至所述杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，包括位于含有半导体材料的所述衬底上的第二栅电极、位于所述第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于所述第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至所述氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

专利地区：日本