半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明的目的之一就是提供一种具有新的结构的半导体装置。半导体装置中串联连接有多个存储元件，该多个存储元件中的每一个包括第一至第三晶体管，第一晶体管包含氧化物半导体层，其源极或漏极与第二和第三晶体管中的一个的栅电极接触。包含氧化物半导体层的第一晶体管的截止电流极低，允许在第二和第三晶体管中的一个的栅电极中长时间保持电荷，由此能够获得实际上永久存储器效应。在使用存储电路时，不含氧化物半导体层的第二和第三晶体管允许高速工作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048570.8

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;加藤清

主权项：一种半导体装置，包括：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；以及第五布线，其中，多个存储元件由包含半导体材料的衬底支撑，并串联连接在所述第一布线和所述第二布线之间，每个存储元件包括：具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管；以及具有第三栅电极、第三源电极以及第三漏电极的第三晶体管，其中，所述第二晶体管包含氧化物半导体层，所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个相互电连接，所述第一布线、所述第一源电极以及所述第三源电极相互电连

专利地区：日本