氧化物超导体用基材及其制造方法和氧化物超导体及其制造方法专利登记公告

专利名称：氧化物超导体用基材及其制造方法和氧化物超导体及其制造方法

摘要：本发明涉及一种氧化物超导体用基材，其具备：金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法(IBAD法)而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的结晶取向性比上述中间层高的覆盖层；其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施加湿处理而形成的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080048908.X

专利申请（专利权）人：公益财团法人国际超电导产业技术研究中心;株式会社藤仓;古河电气工业株式会社

专利发明（设计）人：吉积正晃;福岛弘之;畠山英之;山田穰;飞田浩史;和泉辉郎

主权项：一种氧化物超导体用基材，其特征在于，具备：金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法即IBAD法而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的、结晶取向度比所述中间层高的覆盖层；其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施有加湿处理而形成的。

专利地区：日本