垂直整合的处理腔室专利登记公告

专利名称：垂直整合的处理腔室

摘要：本发明描述对大体上呈垂直定向的基板进行等离子体处理的方法和设备。基板被定位在承载件上，所述承载件包括至少两个大体上垂直定向的框架。所述承载件设置在等离子体腔室中，所述等离子体腔室具有定位在基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦接至具有转盘的传送腔室，所述转盘将承载件引导至目标腔室。装载器将基板在承载件与负载锁定腔室之间进行移动，在所述负载锁定腔室中基板被设置为大体上水平的位向。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049075.9

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：唐纳德·J·K·奥尔加多

主权项：一种用于基板的真空处理的系统，包括：负载锁定腔室；以及等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室耦接至所述负载锁定腔室并具有单一处理空间，所述处理空间藉由一个或更多个大体上垂直的天线分为两个处理区域，每一个处理区域经配置以接收呈大体上垂直定向的基板。

专利地区：美国