边发射半导体激光器专利登记公告

专利名称：边发射半导体激光器

摘要：提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿半导体本体(10)的生长方向在波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，在半导体本体(10)中，构成有用于选择由有源层(3)所发射的激光辐射的横模的相结构(6)，其中相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，所述凹槽从半导体本体(10

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049541.3

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：克里斯蒂安·劳尔;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯

主权项：具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中?所述波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和设置在所述第一波导层(2A)和所述第二波导层(2B)之间的、用于产生激光辐射的有源层(3)，?所述波导区域(4)设置在第一包层(1A)和沿所述半导体本体(10)的生长方向在所述波导区域(4)之后的第二包层(1B)之间，?在所述半导体本体(10)中，构成有用于选择由所述有源层(3)发射的所述激光辐射的横模的相结构(6)，其中所述相结构(6)包括至少一个凹槽(7)，

专利地区：德国