硅的制造方法和制造装置专利登记公告

专利名称：硅的制造方法和制造装置

摘要：本发明涉及一种硅的制造方法或制造装置，该方法或装置是使用铁、铝、钙和钛的含量均为0.1质量％以下的二氧化硅原料和碳材料，利用电弧炉通过碳还原来制造硅的方法或装置，其特征在于，碳还原时，利用功率调节装置来缓和流入电弧炉的电极中的过电流，或者，将电弧炉的炉床功率密度PD(W/cm2)设为90(W/cm2)以上而运转电弧炉。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049547.0

专利申请（专利权）人：三菱化学株式会社

专利发明（设计）人：山原圭二;藤本博己;片山利昭

主权项：一种硅的制造方法，该方法是使用二氧化硅原料和碳材料，利用电弧炉通过碳还原来制造硅的方法，所述二氧化硅原料中的铁、铝、钙和钛的含量均为0.1质量％以下，其特征在于，碳还原时，利用功率调节装置使流入所述电弧炉的电极中的过电流缓和。

专利地区：日本