SiC单晶的升华生长专利登记公告

专利名称：SiC单晶的升华生长

摘要：在SiC晶体升华生长中，在坩埚中装入具有间隔开的位置关系的SiC源材料和SiC籽晶，并且在该生长坩锅内的籽晶周围设有阻隔件。所述阻隔件在生长坩埚内的第一侧限定其中SiC单晶在SiC籽晶上生长的生长区域。所述阻隔件在生长坩埚内的第二侧限定位于SiC籽晶周围的蒸气捕获阱。将生长坩埚加热至SiC生长温度，由此SiC源材料升华并形成被输送至生长区域的蒸气，在生长区域中，蒸气通过在SiC籽晶上沉积而使SiC晶体生长。该蒸气的一部分进入蒸气捕获阱，在该蒸气捕获阱中，蒸气在SiC晶体生长期间从生长区域被除去。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051456.0

专利申请（专利权）人：II-VI有限公司

专利发明（设计）人：阿维纳什·K·古普塔;伊利娅·茨维巴克;爱德华·西门纳斯;瓦拉塔拉詹·伦加拉詹;马库斯·L·盖特金

主权项：一种用于SiC单晶升华生长的装置，包括：生长坩锅，该生长坩埚可操作用于容纳具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶，并且所述生长坩埚实质上防止在SiC单晶升华生长期间产生的蒸气从所述生长坩埚内逸出；以及阻隔件，其设置在所述生长坩锅内位于所述籽晶周围，所述阻隔件在所述生长坩埚中在其第一侧限定其中所述SiC单晶在所述籽晶上生长的生长区域，并且所述阻隔件在所述生长坩埚中在其第二侧限定位于所述籽晶周围的蒸气捕获阱。

专利地区：美国