用于低EMI电路的封装构造专利登记公告

专利名称：用于低EMI电路的封装构造

摘要：电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049604.5

专利申请（专利权）人：特兰斯夫公司

专利发明（设计）人：吴毅锋

主权项：一种电子组件，所述电子组件包括高电压开关晶体管，所述高电压开关晶体管被包装在封装中，其中：所述高电压开关晶体管包括都在所述高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极以及漏电极，并且所述源电极被电连接到所述封装的传导结构部分。

专利地区：美国