双极晶体管专利登记公告

专利名称：双极晶体管

摘要：一种双极晶体管，其包括发射极区(50)、基极区(40)和集电极区(20)以及与该基极区(40)间隔开并环绕该基极区(40)的保护区(200)。可以通过使用同掺杂掩模来形成该基极区(40)和该保护区(200)，在晶体管工作时，该保护区(200)可以用于扩展耗尽层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049791.7

专利申请（专利权）人：美国亚德诺半导体公司

专利发明（设计）人：W·A·拉尼;A·D·贝因;D·F·鲍尔斯;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森

主权项：一种装置，包括双极晶体管，所述双极晶体管包括发射极区、基极区和集电极区，以及环绕所述基极区的保护区。

专利地区：美国