获得与非极性和半极性P-型(Al，Ga，In)N低电阻接触的技术专利登记公告

专利名称：获得与非极性和半极性P-型(Al，Ga，In)N低电阻接触的技术

摘要：在非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件上制造p型接触的方法包括步骤：在(Al，Ga，In)N器件上生长p型层，其中(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，且p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层；和在存在双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)的情况下，冷却p型层，以在p型层上形成镁-氮化物(MgxNy)层。在冷却步骤之后，进行金属沉积以在(Al，Ga，In)N器件的p型层上制造p型接触，其中与具有基本上相似组成的极性(Al，Ga，In)N器件的p型接触相比，该p型接触具

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049853.4

专利申请（专利权）人：加利福尼亚大学董事会

专利发明（设计）人：Y-D·林;A·查克拉伯蒂;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯

主权项：制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：在(Al，Ga，In)N器件上生长p型层，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层；和在存在双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)的情况下，冷却所述p型层，以在所述p型层上形成镁?氮化物(MgxNy)层。

专利地区：美国