半导体器件的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的制造方法

摘要：激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080049990.8

专利申请（专利权）人：株式会社日立制作所

专利发明（设计）人：岛明生;朴泽一幸

主权项：一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域的工序；利用静电夹持方式将所述半导体衬底固定在支持衬底上，将所述半导体衬底整体加热到250℃以上的工序；以1000微秒以下的照射时间照射波长3μm以上的激光，将所述半导体衬底的表面加热，使导入到所述半导体衬底内的所述杂质活化的工序。

专利地区：日本