制造掺杂硅层的方法、可通过该方法获得的硅层及其应用专利登记公告

专利名称：制造掺杂硅层的方法、可通过该方法获得的硅层及其应用

摘要：本发明涉及一种在衬底上制造掺杂硅层的方法，步骤包括：(a)提供液体硅烷配制剂和衬底，(b)将所述液体硅烷配制剂施加到所述衬底上，(c)引入电磁能和/或热能，获得至少部分多形性的硅层，(d)提供包括至少一种含铝金属配合物的液体制剂，(e)将此制剂施加到按步骤(c)获得的硅层上，然后，(f)通过引入电磁能和/或热能加热按步骤(e)获得的涂层，将按步骤(d)获得的制剂至少分解成金属和氢气，然后，(g)冷却按步骤(f)获得的涂层，得到Al掺杂的或Al和金属掺杂的硅层。本发明还涉及可通过所述方法获得的掺杂硅层及其在

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052343.2

专利申请（专利权）人：赢创德固赛有限公司

专利发明（设计）人：B.施蒂策尔;W.法尔纳

主权项：在衬底上制造掺杂硅层的方法，包括以下步骤：(a)提供液体硅烷配制剂和衬底，(b)将所述液体硅烷配制剂施加到所述衬底上，(c)引入电磁能和/或热能，获得至少部分多形性的硅层，(d)提供包括至少一种含铝金属配合物的液体制剂，(e)将此制剂施加到按步骤(c)获得的硅层上，然后(f)通过引入电磁能和/或热能加热按步骤(e)获得的涂层，其中将按步骤(d)获得的制剂至少分解成金属和氢气，然后(g)冷却按步骤(f)获得的涂层，得到铝掺杂的或铝和金属掺杂的硅层。

专利地区：德国