掺杂物源及其制造方法专利登记公告

专利名称：掺杂物源及其制造方法

摘要：本发明在于提供一种掺杂物源，其中，B2O3挥发量不易经时降低，长期具有良好的B2O3挥发能力。掺杂物源具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体，其中，以摩尔%表示，硼成分挥发层含有30～60%的SiO2、10～30%的Al2O3、15～50%的B2O3和2～15%的RO，耐热层含有8～40%的SiO2、40～85%的Al2O3、5～30%的B2O3和0.5～7%的RO，其中，R是碱土金属。叠层体的至少一侧的最外层由硼成分挥发层构成。叠层体还在叠层体内部包括硼成分挥发层。构成叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发

专利类型：发明专利

专利号：CN201080052777.2

专利申请（专利权）人：日本电气硝子株式会社

专利发明（设计）人：铃木良太;马屋原芳夫

主权项：一种掺杂剂源，其特征在于：具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体，其中，以摩尔%表示，硼成分挥发层含有30～60%的SiO2、10～30%的Al2O3、15～50%的B2O3和2～15%的RO，耐热层含有8～40%的SiO2、40～85%的Al2O3、5～30%的B2O3和0.5～7%的RO，其中，R是碱土金属，所述叠层体的至少一侧的最外层由所述硼成分挥发层构成，并且，所述叠层体还在所述叠层体内部包括所述硼成分挥发层；构成所述叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比所述叠层体内部的硼成分

专利地区：日本