适于高温操作的相变存储器器件专利登记公告

专利名称：适于高温操作的相变存储器器件

摘要：一种相变存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，与底部电极分开；以及生长主导型相变材料，沉积于底部电极和顶部电极之间并且接触底部电极和顶部电极并且在其侧壁处由绝缘材料包围。重置状态的相变存储器单元仅包括在相变存储器单元的有效体积内的生长主导型相变材料的非晶相。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050550.4

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：M·J·布莱特韦斯;C·H·拉姆;B·拉简德兰;S·劳克斯;A·G·施罗特;D·科雷布斯

主权项：一种相变存储器单元，包括：底部电极；与所述底部电极分开的顶部电极；生长主导型相变材料，布置于所述底部电极和所述顶部电极之间并且接触所述底部电极和所述顶部电极，并且在其侧壁处由绝缘材料包围，在重置状态的所述相变存储器单元仅包括在所述相变存储器单元的有效体积内的所述生长主导型相变材料的非晶相。

专利地区：美国