半导体装置和噪声抑制方法专利登记公告

专利名称：半导体装置和噪声抑制方法

摘要：本发明涉及半导体装置和噪声抑制方法。第一半导体芯片（200）被安装在第二半导体芯片（100）上。第一半导体芯片（200）具有第一导体图案（222）。第二半导体芯片（100）具有第二导体图案（122）。第二导体图案（122）在平面图中在叠盖第一导体图案（222）的区域处形成。选自由第一导体图案（222）和第二导体图案（122）组成的组的至少一个元件具有重复结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050977.4

专利申请（专利权）人：日本电气株式会社

专利发明（设计）人：竹村浩一;石田尚志

主权项：一种半导体装置，包括：安装对象；安装在该安装对象上方的第一半导体芯片；多个第一导体，它们被重复地提供给选自由该第一半导体芯片和该安装对象组成的组的一个元件；第二导体，其被提供给选自由该第一半导体芯片和该安装对象组成的组的另一元件，该第二导体与该多个第一导体相对；以及多个连接构件，其被提供在安装对象和第一半导体芯片之间的空隙处，该多个连接构件将该多个第一导体电连接到该第二导体，其中该多个第一导体通过该多个连接构件和第二导体彼此电连接。

专利地区：日本