采用导电贯穿基板通路的集成去耦电容器专利登记公告

专利名称：采用导电贯穿基板通路的集成去耦电容器

摘要：半导体基板（10）中的电容器（180）采用导电贯穿基板通路（TSV）（80）作为内部电极，并采用柱状掺杂半导体区域作为外部电极。电容器（80）在小的区域内提供大的去耦电容，并且不影响电路密度或Si?3D结构设计。附加的导电TSV可设置在半导体基板（10）中以提供对电源的电连接以及通过其的信号传输。与具有可比的电容的传统电容器阵列相比，电容器（180）具有更低的电感系数，从而能够减小堆叠的半导体芯片的电源系统中的高频噪声。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050627.8

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：M·F·麦卡利斯特;M·J·沙皮罗;金兑洪;E·J·斯普罗吉斯

主权项：一种包括半导体芯片的半导体结构，其中所述半导体芯片包括：半导体基板（10）；至少一个电容器（180），埋入所述半导体基板（10）中；以及至少一个横向绝缘的导电贯穿基板连接结构（182），其中所述至少一个电容器（180）的每一个都包括：内部电极，包括导电贯穿基板通路（TSV）结构（80）；节点电介质（70），横向接触且横向围绕所述内部电极；以及外部电极（60），横向接触且横向围绕所述节点电介质的一部分。

专利地区：美国