用于电子电路的保护元件专利登记公告

专利名称：用于电子电路的保护元件

摘要：本发明涉及一种具有集成的半导体装置的保护元件和一种用于这样的保护元件的制造方法，所述保护元件具有至少一个肖特基二极管(S)和至少一个Z二极管或齐纳二极管(Z)，它们位于电源与电子器件之间，其中，所述肖特基二极管(S)的正极与所述电源连接并且所述肖特基二极管(S)的负极与所述电子器件和所述齐纳二极管的负极连接，所述齐纳二极管的正极接地。所述肖特基二极管(S)是沟槽MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)或沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)并且包括一个集成的半导体装置，其具有至少一个沟槽MO

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051064.4

专利申请（专利权）人：罗伯特·博世有限公司

专利发明（设计）人：渠宁;A·格拉赫

主权项：具有至少一个肖特基二极管(S)和至少一个Z二极管或齐纳二极管(Z)的保护元件，所述至少一个肖特基二极管和所述至少一个Z二极管或齐纳二极管位于电源与电子器件之间，其中，所述肖特基二极管(S)的正极与所述电源连接并且所述肖特基二极管(S)的负极与所述电子器件和所述齐纳二极管的负极连接，所述齐纳二极管的正极接地，其特征在于，所述肖特基二极管(S)是沟槽MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)或沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)。

专利地区：德国