半导体元件专利登记公告

专利名称：半导体元件

摘要：本发明提供一种半导体元件，其可以经由沟道层而进行晶体管动作与二极管动作。在以源极电极(150)的电位为基准的栅极电极(165)的电位Vgs是0伏特时，借助体区域(130)的一部分与沟道层(150)之间的pn结，在沟道层(150)的至少一部分形成在整个厚度方向上被耗尽化的厚度为Dc的耗尽层，并且在体区域(130)的一部分形成距离pn结的接合面的厚度为Db的耗尽层。在将宽带隙半导体的介电常数设为εs，将绝缘膜(160)的介电常数及厚度分别设为εi及Di，将Dc与Db之和设为Ds，将二极管的启动电压的绝对值设为

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004241.8

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：北畠真;内田正雄

主权项：一种半导体元件，其包括金属?绝缘体?半导体场效应晶体管，其中，所述金属?绝缘体?半导体场效应晶体管具备：宽带隙半导体，其具有第1导电型的体区域、与所述体区域的至少一部分接触的第2导电型的源极区域、借助所述体区域的一部分而与所述源极区域分离开的第2导电型的漂移区域、以及和位于所述源极区域与所述漂移区域之间的所述体区域的所述一部分的表面相接的第2导电型的沟道层；与所述沟道层的表面相接的绝缘膜；隔着所述绝缘膜而与所述沟道层对置的栅极电极；与所述源极区域接触的源极电极；以及与所述漂移区域电连接的漏极电极，若将以所

专利地区：日本