半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：一种半导体装置，其具有新的结构。该半导体装置包括：彼此串联连接的存储单元；以及电容器。存储单元之一包括：连接到位线及源极线的第一晶体管；连接到信号线及字线的第二晶体管；以及连接到字线的电容器。第二晶体管包含氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一方、以及电容器的电极中的一方彼此连接。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051156.2

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;小山润;加藤清

主权项：一种半导体装置，包括：源极线；位线；信号线；以及字线，其中，多个存储单元串联连接在所述源极线和所述位线之间，所述多个存储单元之一包括第一晶体管、第二晶体管、以及电容器，所述第一晶体管包含第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极，所述第二晶体管包含第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极，所述第一晶体管设置在包含半导体材料的衬底中，所述第二晶体管包含氧化物半导体层，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方、以及所述电容器的一个电极相互电连接，所述源极线与所述第一源电极相互电连接，并且所述位线与所述第一

专利地区：日本