具有电极处RF匹配的大面积等离子体处理腔室专利登记公告

专利名称：具有电极处RF匹配的大面积等离子体处理腔室

摘要：提供一种具有电极处RF匹配的等离子体处理系统以及利用该系统来处理基板的方法。一实施例中，等离子体处理系统包括腔室主体、基板支撑件、电极、盖组件与RF调谐元件。基板支撑件置于界定于腔室主体中的处理空间中。电极置于基板支撑件上方与盖组件的盖件下方。RF调谐元件置于盖件与电极之间且耦接至电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080051480.4

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：C·索伦森;J·M·怀特;J·库德拉

主权项：一种等离子体处理系统，包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定处理空间的腔室侧壁、底部与盖组件，所述盖组件由所述腔室侧壁所支撑；基板支撑件，所述基板支撑件配置于所述腔室主体的处理空间中；电极，所述电极配置于所述基板支撑件附近、上方或正面，以激发所述处理空间中的气体；及至少一RF调谐元件，所述RF调谐元件耦接至所述电极，所述调谐元件配置于所述盖组件的接地盖件或侧壁以及所述电极之间。

专利地区：美国